[新聞] 記憶體大戰！長鑫史詩級擴產「量翻倍」

作者Su22 (裝配匠)

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標題[新聞] 記憶體大戰！長鑫史詩級擴產「量翻倍」

時間Sat May 2 13:58:55 2026

原文標題：記憶體大戰！長鑫史詩級擴產「量翻倍」外媒曝輸韓廠2大罩門原文連結：https://www.chinatimes.com/realtimenews/20260501002158-260410?chdtv 發布時間：16:25 2026/05/01 記者署名：邱怡萱原文內容：大陸記憶體產業正掀起一波「史詩級」的擴產浪潮，以長江存儲與長鑫存儲為首，不僅大舉興建新廠，甚至將原本規劃在未來數年的產能提前開出。不過，外媒報導，分析師指出，儘管陸廠積極追趕，但在AI晶片與高階記憶體領域，主導權仍牢牢掌握在南韓與台灣手中，短期內差距難以拉近。根據《Business Times》報導，SK海力士與台積電是AI供應鏈的兩大核心，前者在高頻寬記憶體（HBM）領域具備領先優勢，後者則憑藉先進製程技術，穩居全球晶片製造關鍵角色。相較之下，大陸廠商在供應鏈整合與技術成熟度上仍顯不足，加上美國持續的技術限制，使其追趕進程面臨更多挑戰。以長鑫存儲為例，儘管今年產量預計翻倍成長，但在功耗與封裝體積兩大關鍵技術指標上，仍落後於三星與SK海力士。另一方面，記憶體市場基本面正在快速轉強，包括三星電子與SK海力士在內的主要廠商正加速轉向HBM生產，以滿足資料中心與AI運算的龐大需求。隨著供給吃緊與價格上漲同步發生，市場對記憶體產業的前景也大幅上修。分析機構普遍認為，未來記憶體需求動能將明顯強於先前預期，甚至有機會帶動南韓半導體族群持續走強，觀察SK海力士今年以來股價已接近翻倍，三星也大漲近9成。至於台灣方面，台積電持續展現技術領先優勢，透過製程升級不斷拉開與競爭對手的差距。心得/評論：雖然中國長江存儲與長鑫存儲積極擴產追趕但在兩大關鍵指標:功耗與封裝體積上仍然處於落後,追趕不易故如三星與SK海力士仍有相當的護城河難怪今年以來股價上漲,有投資的網友應該仍可續抱 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 58.114.13.212 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1777701537.A.61B.html

推 gtaped05550 : 從記憶體開始漲聽到現在了旺宏還創高….. 05/02 14:01

→ KIDDLEE : 擴有用嗎？美國不是不用 05/02 14:04

→ Haerin520 : 好喔SNDK歷史新高 05/02 14:04

推 rcf150cc : 旺宏做的NOR 中國有嗎@@ 05/02 14:04

→ Haerin520 : 美股存儲全部歷史新高擴產講超過半年了哈 05/02 14:04

推 s213092921 : 又是一個產業要被中國打成白菜價了 05/02 14:09

→ s213092921 : LCD跟OLED電動車都被中國玩出花了 05/02 14:10

推 cospergod : 讚 05/02 14:11

推 Armin : 沒用吧，關鍵製程設備都被美國卡住，看看中芯就知 05/02 14:15

→ Armin : 道後面都是擴心酸的。 05/02 14:15

→ nash1314 : 一天到晚鬼故事，而且是大陸的，都沒一些新的說法 05/02 14:18

→ tmdl : 一篇一根不要不信 05/02 14:21

推 keltt : 拜託放過卡哇！求求你！ 05/02 14:27

推 junior020486: 韓國HBM雙雄沒在怕的 05/02 14:28

推 sunday0913 : 拜託進來捲消費級的市場 05/02 14:31

→ kiboryin : 每個禮拜都要看一次長鑫鬼故事 05/02 14:33

推 s213092921 : 關鍵製程設備都搞定了，美國繼續卡吧，國產HBM都出 05/02 14:34

→ s213092921 : 貨了 05/02 14:34

→ sabishikuma : 美國不買單翻十倍也沒屁用 05/02 14:41

推 bobjohns : 請問卡住euv設備就做不出hbm了嗎？不懂記憶體 05/02 14:42

→ GABA : PC的記憶體貴爆 05/02 14:47

推 chinggo : 相同擴產新聞每隔幾個禮拜就發一次，不膩嗎？ 05/02 14:48

→ fujimoto : 去求川普買吧 05/02 14:48

噓 l19900513 : 記憶體一漲就要拿中國出來坦，幾個月了？外資還沒買 05/02 14:49

→ l19900513 : 滿上車？ 05/02 14:49

推 as6633208 : 台股記憶體8888 05/02 14:52

推 bing6715 : 再吞一根？ 05/02 14:54

推 jay0117 : 講話笑話這麼好賺行業中國員工還在996 月領3000 05/02 14:57

推 house911 : 台廠記憶體技術 ????? 05/02 15:08

推 j32072 : 記憶體魚鰓 05/02 15:09

推 bypetty : 台灣記憶體有技術？ 05/02 15:09

推 roseritter : 做到HBM3 應該沒問題吧 05/02 15:17

推 selvester : 中國自己內循環，吃都不夠還曬乾不是說轉華為產卡 05/02 15:18

推 Sianan : 現在能擴是靠前2年禁令前囤的設備再往後就難了 SM 05/02 15:20

→ Sianan : EE現在也就能做28nm的DUV 你當然可以靠多重曝光但 05/02 15:20

→ Sianan : 別人用的可是ASML的EUV 還有你的TSV設備也落後你 05/02 15:20

→ Sianan : 是要怎麼比？ 05/02 15:20

推 apolloapollo: 祖國內卷之力 05/02 15:22

推 goodevening : 中國本來就沒啥能力做hbm扯到台積電幹嘛，現在記憶 05/02 15:22

→ goodevening : 體股大漲主要也不是因為hbm阿，ddr和nand大擴產才是 05/02 15:22

→ goodevening : 股價風險 05/02 15:22

噓 lfour : 八卦重點是ipo要有資金用途，能不能做得出來是另一 05/02 15:24

→ lfour : 件事 05/02 15:24

→ lfour : 我比較想看的是ipo的錢到位後，會拿啥理由說做不出 05/02 15:26

→ lfour : 來 05/02 15:26

→ lfour : 蓋廠不需要技術，國產tool move in也不需要技術， 05/02 15:27

→ lfour : 但良率可騙不了人 05/02 15:27

→ Sianan : 而且HBM3大概是極限了因為再往後base die根本做不 05/02 15:27

→ Sianan : 出來三星自己能做2nm 海力士則是找GG做這方面是 05/02 15:27

→ Sianan : 大陸的死穴 05/02 15:27

推 eastereaster: 卡蛙尖叫 05/02 15:28

→ lfour : 我想到時候應該會甩給北方華創或是中微電吧。 05/02 15:29

→ lfour : 理由我都想好了，廠房沒問題、人才沒問題、工藝沒 05/02 15:30

→ lfour : 問題，是國產設備不給力，不是我的錯 05/02 15:30

→ lfour : 另一個八卦是華創及中微電的部份設備關鍵零組件還 05/02 15:33

→ lfour : 是需要美國同意，美國還沒掐斷 05/02 15:33

→ bnn : ...記憶體的線寬和邏輯的線寬代號不一樣的 05/02 15:37

→ bnn : 功耗和封裝體積是主要困難點漏電是材料和製程缺陷 05/02 15:38

→ bnn : 倒不是優先把線寬縮小那個是高速的部分 05/02 15:40

→ bnn : 當然HBM4/5速度要求也是比較高也很難做美光也卡了 05/02 15:42

推 myv3688 : 星期一漲一根 05/02 15:43

推 kanehhh : 擴的越多，噴的越高 05/02 15:43

→ bnn : 但卡到速度的大概都是pin腳後面封裝不是base die 05/02 15:44

推 g0t24568 : 美韓沒在怕台灣下去 05/02 15:45

推 jay3u7218 : 丸子 05/02 15:51

推 InTheLAR : 新聞這麼好做數據日期都不用全靠喊 05/02 15:57

推 gosling1019 : 潘讚 05/02 15:57

推 jopyt : 去年成熟製程的新聞也是這樣報，結果勒，聯電世界先 05/02 16:01

→ jopyt : 進今年漲翻天 05/02 16:01

推 cat77133 : 美光會說服國會搞他們台廠不必管他們 05/02 16:03

噓 afacebook : 叫GG做2奈米是在哈囉？人家說的是記憶體，記憶體和 05/02 16:16

→ afacebook : 一般電路都搞不清楚只會每天GG 05/02 16:16

推 ZEXIS : 快點，捲爛消費級市場，拜託== 05/02 16:21

推 Sianan : https://bit.ly/4wczdUD 05/02 16:36

→ cclemon1231 : 川習會要是放行就有趣了 05/02 16:37

→ Sianan : 在 HBM3e 之前，Base Die 是由記憶體廠商使用自家 05/02 16:39

→ Sianan : DRAM 製程生產。但從 HBM4 開始，Base Die 轉向採 05/02 16:39

→ Sianan : 用邏輯製程，三星用自己產的，海力士則與GG合作= = 05/02 16:39

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